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霍尔传感器(Hall Effect Sensors)

HSU-1未封装型霍尔传感器(HSU-1 Unpackaged Hall Effect Sensor

 

        这是一款构建在陶瓷基板上未封装型霍尔传感器,有效面积为100um×100 um。该类型传感器尺寸很小,适合空间受限场合下磁场测试。


          

HSU-1未封装型霍尔传感器和示意图  


HSP-T横向霍尔传感器(HSP-T Transverse Hall Effect Sensor

 

        该传感器被横向安装在基板上并灌装环氧树脂固定封装,与其它常见霍尔传感器相比,该款传感器霍尔电压与磁场呈高度线性,且灵敏度与温度关联不大,可在更大磁场范围和更广温度范围下工作。


         

HSP-T横向霍尔传感器和示意图


HSP-A轴向霍尔传感器(HSP-A Axial Hall Effect Sensor)


         该传感器安装在轴向基座上,霍尔电压不小于10mV@Telsa,比之前其它类型的灵敏度提高25%


          

HSP-A轴向霍尔传感器和示意图


几种霍尔传感器的性能参数表

 

HSU-1

HSP-T

HSP-A

Magnetic Field Range

0 - 33T

0 - 30T

0 - 30T

Temperature Range

1.5K - 350K

1.5K - 350K

1.5K - 350K

Nominal Current In

20 mA

100 mA

100 mA

Sensitivity

> 5 mV/T

> 10mV/T

> 10mV/T

Linearity Error (300K)

< 0.1% (B=0-1T)

< 0.2%(B=0-1T)

< 0.2% (B=0-1T)

Linearity Error (4.2K)

< 1.0% (B=0-5T)

< 1.0% (B=0-5T)

< 1.0% (B=0-5T)

Mean Temperature Coefficient of Sensitivity

2×10-5/K

2×10-5/K

2×10-5/K

Active Sensing Area

100 um×100 um

0.625mm2

0.05mm2

Residual Voltage

< 20uV

< 20uV

±10uV

Quantum Oscillations Begin

2.0K

2.0K

2.0K

Amplitude of Quantum Oscillations

< 0.1%

< 0.1%

< 0.1%

Input Resistance at 4.2K (zero field)

1.8 ohms

1.8 ohms

1.8 ohms

Dimensions

5mm×4mm×0.7mm

7mm×5mm×1mm

6mm O.D.×8mm

备注:这几款Hall传感器都可在低温强磁场下工作,在300K有一个校准点,可选配4.2K@9Tesla校准点。